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设备名称品牌型号数量保管人地点基本参数
聚焦离子束与聚焦电子束曝光系统ZEISSCrossbeam 3501龚小月瀚林2号A2031.离子束最佳分辨率3nm：3.0nm@30KV ；束流范围1pA - 100nA。
2.加速电压范围：0.5 kV-30 kV。
3.离子束放大倍数：300x-500,000x；扫描速度：扫描停留时间可达25 ns。
4.电子枪类型：肖特基场发射灯丝；二次电子分辨率：0.9nm@15KV，1.7nm@1KV ；加速电压与着陆电压范围都不小于：0.02KV-30KV，连续可调，调节步进精度 10V；样品加工过程，离子束与电子束能够同时实时工作，特别是在 FIB 大束流切割模式下，电子束能够高分辨实时观察。
5.样品室内部尺寸：330mm(D)*270mm(H)；配备圆盘式九孔样品座。
6.电子束曝光的写场大小为0.5um-2mm之间可调节；单个写场的对准精度（套刻）优于40nm。
7.能谱仪电子图像分辨率达2048*2048像素；元素面分布图分辨率达1024*1024像素；可从面分布图上进行谱图重建；元素分析范围: B5～Cf98。
光刻机SUSSMA/BA6 Gen41龚小月瀚林2号A2031.曝光范围：最大150mm圆形；支持晶圆厚度：5.5mm,晶圆厚度在系统中自动设定调节，无需手调。
2.曝光模式：支持软接触、硬接触、接近和真空四种模式。
3.曝光波长：350-450nm；曝光灯：350瓦汞灯。
4.分辨率：≤0.8um（真空接触，光刻胶厚度≤1微米时，等间距图形Line/Space=1:1,150mm范围内5点）。
5.正面套刻精度：≤±0.5um；背面套刻精度：≤±1.0um。
6.在6寸晶圆范围内，光强均匀度：≤ ±2.5％。
7.正面显微镜移动调节范围：X方向移动范围：-75/+10mm） @左侧显微镜；-10/+75mm）@右侧显微镜；Y方向移动范围：最大可达到-67.5mm~+59mm；正面显微镜Z方向电动聚焦范围40mm。
8.背面显微对准系统：X方向移动范围：-75/+10mm @左侧显微镜；-10/+75mm @右侧显微镜；Y方向移动范围：-21/+23mm；Z方向电动聚焦范围：≥11mm。
9.支持样品：6英寸、4英寸、2英寸、不小于1×1的碎片。
激光直写光刻机SVGMicroLab1龚小月瀚林2号A2031.能够实现最小结构尺寸为1微米的光刻。直写光刻机集成光学显微系统，具有10X、20X、50X不同放大倍数。直写光刻机能够支持最大100mm*100mm幅面的光刻。支持正胶负胶的光刻。
2.对准套刻精度500nm。
3.支持扫描曝光，灰度曝光，拖曳曝光等多种曝光模式。
4.书写速度100mm2/min@1um。
5.支持256阶3D灰度光刻。
6.光源405nm，支持正胶和副胶。
7.支持基片5mmx5mm-100mmx100mm任意尺寸。
8.支持GDSⅡ，DXF，BMP图形格式，支持正胶和负胶。
9.具有PLM相位调制功能，支持周期性图形相位调制光刻。
纳米压印机PRINANOPL-T-1001龚小月瀚林2号A2031.压印样品尺寸：4英寸； 
2.固化方式：热固化、紫外固化；
3.紫外光源：LEDUV固化灯，365nm；
4.最大压强：1.0MPa； 
5.加热方式：220V，500W电热丝； 
6.温控范围：室温-250℃。
光学膜厚仪昆山胜泽A3-SR-200+100MS1龚小月瀚林2号A2031、厚度测量范围15nm - 30 um，精度0.05nm； 2、测试方式：紫外+可见+UV+VIS 反射(R)，波长范围250-900纳米； 3、光源：钨卤素灯+氛灯。
深硅刻蚀设备SamcoRIE-400iPB1龚小月瀚林2号A2031.配备6路工艺气体，SF6/C4F8/O2(50sccm)/Ar/O2(500sccm)/CHF3。
2.反应室极限真空＜10-3 Pa，反应室保压满足＜3.3Pa/30min。
3.深硅刻蚀速率＞10um/min；深硅刻蚀深宽比＞20:1；深硅刻蚀侧壁角度范围：90±5˚内；
4.配置光谱型（OES）终点检测仪；反应室配置有薄膜真空计和离子真空计；预真空室配置有复合真空计。
5.RF 匹配器全自动匹配（包含ICP 和自偏压），配置RF 检测功能，能监测ICP Vpp 、自偏压 Vdc/Vpp。
6.配备4英寸静电卡盘，5-25度液体循环温控器；ICP射频源最大1000W，Bias射频源最大300W。
7.SiO2 刻蚀性能：刻蚀速率＞300nm/min；对光刻胶选择比＞1；侧壁角度在 70～90°范围内。
8.深硅刻蚀scallop＜200nm；SiO2 刻蚀速度＞300nm/min；片间均匀性＜±5%。
离子束刻蚀机SHLFA100S-IBE1龚小月瀚林2号A2031.可用于SiO2、SiNx、Cu、Ta、TaN等材料刻蚀。
2.机台使用了射频离子源，其中射频功率源的功率范围为20~1000W，射频频率为13.56MHz，采用自动匹配网络进行50欧姆射频阻抗匹配。
3.机台的离子源的栅网采用了钼三栅结构，栅直径为160mm。
4.离子源的束流能量范围为（80~1500）±2V，束流范围（50~1500）±2mA，加速栅电压范围（50~1000）±2V，束流发散角<±5°，束流不均匀性<±3%。
5.配置了三路气体，分别为Ar、O2与CF4气体，采用金属密封数字通讯气体质量流量计（MFC）控制气体流量，气体量程为0~50sccm，控制精度±0.2%。
6.配置了Ar气体，采用金属密封数字通讯气体质量流量计（MFC）控制气体流量，气体量程为0~50sccm，控制精度±0.2%。
7.机台支持采用纯Ar工作的离子束物理刻蚀模式。
8.可以向离子源中加入Ar之外的工艺气体，支持反应离子束刻蚀模式。
9.可以向工艺腔加入工艺气体，支持化学辅助离子束刻蚀模式。
10.SiO2/SiNx钝化层刻蚀速率为10~150nm/min；金属线Cu刻蚀速率为10~150nm/min；粘附层Ta/TaN刻蚀速率为10~100nm/min。
反应离子刻蚀机SHLFA210E-RIE1龚小月瀚林2号A2031.机台可以处理一片六英寸硅片，可以向下处理小尺寸样片。
2.配置四路工艺气体，分别为Ar、O2、CF4与CHF3。
3.刻蚀速率：SiO2/SiNx：>100nm/min;Si:>150nm/min; PR:>300nm/min；可以用于10nm技术节点的芯片去层刻蚀要求。
4.刻蚀材料：Si、SiO2、石英、SiNx、Cu、Al以及有机材料PR。
5.工艺射频电源：300W，13.56MHZ，自动匹配，最小稳定工艺启辉射频功率5W。
真空磁控溅射设备普迪真空PD-500C1龚小月瀚林2号A2031.极限真空：5E-7torr；从大气抽到工作真空（5E-6torr）时间30分钟。
2.系统漏率：≤2x10-8Pa.l/S；系统保压：系统抽至高真空后停泵关机保压12小时后真空度小于5Pa;基片加热：衬底最高加热温度500℃,控温精度小于±3℃，具备等离子清洗功能。
3.溅射尺寸：直径6英寸大工件台，兼容4英寸、2英寸、Φ45mm、Φ30mm， 以及小尺寸方形片。基片旋转速度：5～25rpm连续可调，旋转轴水冷保护，转轴磁流体密封；成膜质量：直径4英寸范围内均匀性优于±5%。
4.500W直流电源，射频电源1台：自动匹配，频率:13.56MHz,误差不超过±0.005%，最大输出功率(W): 600W。
5.进样室：1个自动进样室，尺寸长*宽*高约为350mm*260mm*260mm，配备电动自动搬运机械手一套。
电子束蒸发（带电阻蒸发）镀膜仪普迪真空 1龚小月瀚林2号A2031.整机系统具备软硬件互锁保护功能；配备水流检测报警装置；双腔室配备膜厚控制仪，支持速率0.1-30 埃/s 可调可控，厚度控制1nm-100um。 
2.电子束蒸发内腔尺寸长450×宽450×高650mm，电子枪阳极电压8KV，6工位水冷电子枪，电子枪功率6-10KW可调，二维扫描调节，最大扫描±15mm（X，Y），可放置4英寸样品，支持电子枪偏转功能。 
3.热蒸发内腔尺寸长400×宽400×高450mm，配置2组舟式蒸发源，蒸发电源功率2.4KW，加热温度1500℃；配置2组有机束源蒸发源，配置2套有机电源，加热温度700℃；配置温控仪，具有温度显示功能，可放置4英寸样品；配置可调角度电动控制蒸发挡板，基片台旋转与升降。
小型磁控溅射仪普迪真空PD-200C1龚小月瀚林2号A2031.真空镀膜室：304不锈钢材料，圆柱式，门上配有观察窗；镀膜室内净尺寸约为：300*300*H300mm。 2.真空系统：机械泵+脂润滑分子泵，极限真空：优于8*10-5 Pa；工作真空8*10-4pa以下，抽真空时间少于35分钟。 3.真空极限：优于8*10-5 Pa。 4.旋转加热基片台：承载最大直径75mm基片；基片台磁流体密封，电机驱动基片台旋转，旋转速度0-20转/分钟可调；配挡板。样品台加热温度室温-350℃。 5.均匀性：75mm直径范围内不均匀性≤±5%。 6.控制方式：西门子PLC+西门子触摸屏手自动控制系统。 7.直流溅射电源：功率500W。
单室高真空电阻丝镀膜设备普迪真空PD-400S1龚小月瀚林2号A2031.真空室腔体气压≤5×10-5 Pa，大气至5×10-4 Pa时间小于30分钟。
2.金属蒸发源4套：水冷铜电极4组，兼容蒸发舟（钨、钼和钽舟）和螺旋丝，采用气缸挡板，翻盖开关，1KW直流电源2台，电流调整精度1A，功率满足常见的金属以及金属氧化物的蒸镀；有机蒸发源2套：采用铠装加热丝，最高加热温度：500℃，采用气缸挡板，采用直流电源1台，通过导电温控表进行PID精确温度控制，温控精度±1℃，温控表显示精度0.1℃。
高真空离子溅射仪（双靶）速普S201龚小月瀚林2号A203双靶，高真空，涡轮分子泵与无油隔膜泵组合，抽速 ≥隔膜泵 0.7 m3/h +分子泵 30.5m3/h实现10-2 Pa量级的洁净真空。配备旋转样品台，可均匀稳定地沉积导电膜，适用于样品的喷金处理。
高真空双靶离子溅射仪S20技术参数
1.真空泵：分子泵+隔膜干泵
2. 抽速：隔膜泵≥0.7m3/h+分子泵30.5m³/h
3. 极限真空：＜5*10-2Pa量级
4. 工作气压：典型值0.5~2Pa
5. 抽真空时间：3~5min
6. 真空计：高真空复合真空计
7. 腔体：~Ø135 *120 mm
8.★数显样品台：Ø75mm旋转样品台转速：60RPM，靶基距45-60mm可调
9. ★溅射靶材：靶材尺寸Ø30 * 0.5mm/2只，可实现单靶溅射、双靶交替
溅射功能
10.★溅射电源：恒功率磁控DC溅射电源 Max. 20W ，Max. 100 mA，0-800 V DC
11. ★操作方式：触摸屏控制，控制系统提供互锁
配件:Ø30*0.5mm金靶+Ø30*0.5 mm铂靶各一片，裂片机。
原子层沉积系统ANAMEElegant II-Y200L1龚小月瀚林2号A2031.腔体尺寸：反应腔体可以用来沉积8英寸（200mm）的衬底，兼容8英寸以下的衬底。
2.腔体压力及漏率：腔体极限压力≤1×10-3 mbar，腔体漏率低于10-6 mbar•L/s，保压漏率≤2 mtorr/min。
3.前驱体源管路：设备配置6条完全独立的前驱体源管路，分别对应反应腔体上完全独立的各前驱体源入口；配置三套常温液态源系统；配置两套加热源系统。
4.配置远程感应耦合等离子体系统，适用O2，Ar，NH3等多种气体，等离子体发生器与基底必须保持足够距离（>600mm）以减少离子轰击对基片造成的破坏效应；离子体功率3000W。
5.在热沉积或等离子体沉积中，Al2O3：膜厚均匀性≤1%，AlN：膜厚均匀性≤1%，TiN：膜厚均匀性≤2%（氮化物含量达到90%），HfO2：膜厚均匀性≤2%; ZrO2：膜厚均匀性≤2%; Ge：膜厚均匀性≤3%; GeO2：膜厚均匀性≤3%; ITO：膜厚均匀性≤3%（6英寸晶圆，1-sigma计算方式，除去边缘5mm）； cycle time≤40s。
真空退火炉ECOPIARTP-13001龚小月瀚林2号A2031.温度: 最高1200℃。
2.最快升温速率: 50-80℃/sec。
3.最大样品尺寸: 4英寸。
4.最快降温速率: 1000℃ -> 400℃: 60sec。
5.温度精度: +/-1℃;。
6.可以通氮气/氧气工艺气路。
手套箱DHMUNIlab（1200／750）1龚小月瀚林2号A2031.单工位，单面操作，集成有单柱净化单元，PLC控制及触摸屏操作。
2.水氧指标小于1 ppm，可达0.1ppm。
3.大过渡舱：直径390mm，长度600mm，自动阀门控制抽气和充气。
4.小过渡舱：直径150mm，长度400mm。
5.水分析仪测量范围：0～1000ppm，感测元件双晶振薄膜电极材质；氧分析仪测量范围：0～1000ppm，采用ZrO2传感器。
金球焊接机KAIJOFB-e20α1龚小月瀚林2号A2031.焊线范围：X55mm，Y80mm；瓷嘴长度11.1mm。
2.内置记忆装置：1000 个品种（SSD的容量128GB）；焊接方式：金丝球超声波加热焊接。
3.可编辑8192条线，可编辑2048 Multi Chip。
4.支持线径：金线、铜线、银线φ15um～φ30um（非金线需配置氮气保护装置）。
5.搬送系统：全自动搬送系统行程108mm，分解度达到 5μm；轨道规格：宽度20mm~90m；加热方式：恒温加热、室温-300℃；料盒更换系统：垂直堆叠式，全自动数字调试；统计数据：具备工程管理功能，包含生产数据、报警信息、实时显示画面。
6.超低线弧、FJ线弧、MFJ线弧；最长线弧≥8mm；焊线最大落差≥3mm。
傅里叶变换红外光谱仪BrukerINVENIO R+Hyperion10001龚小月瀚林2号A2031.光谱范围：8,000- 350cm-1; 波数精度：＜0.005cm-1 @ 1,554cm-1; 样品仓：包含2个主机样品仓。
2.分辨率：0.16cm-1。
3.干涉仪：光学补偿式迈克尔逊干涉仪，扭摆式立体角镜（非平面镜）。
4.信噪比：60000:1，1分钟测试，4cm-1，峰峰值。
5.波数重复性：＜0.005cm-1 @ 1,554cm-1。
6.红外成像显微系统：可使用透射、反射和ATR的方法测量微小样品光谱范围：10,000 to 450 cm-1,可调刀口光阑，双光阑设计。
7.透射、反射和ATR测量方式下均可以实现红外测试和可见光观测同时进行；检测器：（1）双检测器位置：可同时加装两个检测器，计算机控制自动转换，无需拆卸；（2）液氮冷却的MCT检测器及前置放大器(光谱范围: 10,000-450cm-1)；多媒体控制全自动样品台，包括Z方向自动聚焦。移动控制精度：1um。
台阶仪AlphastepD-3001龚小月瀚林2号A2031.垂直分辨率: 0.38A。
2.垂直测量范围: 1000um。
3.扫描时最小正压力: 0.5mg。
4.最大采样点数400,000。
原子力显微镜Oxford InstrumentsMFP-3D Origin+1龚小月瀚林2号A2031.压电力显微镜模式：压电力显微镜系统本身能够在该模式下能够在实现单频压电力显微镜,双频共振追踪压电力显微镜, 极化翻转谱压电显微镜测试以及矢量压电力显微镜技术。
2.具备多种成像模式：轻敲模式，接触模式，相位成像模式，横向力模式，磁场力模式，压电力显微镜，高次谐波成像模式，静电力显微镜，扫描开尔文显微镜，力曲线模式，纳米刻蚀，纳米操纵等。
3.无需更换扫描器，同一扫描器即可实现，X,Y方向的扫描范围120um，Z方向15um。
4.扫描器闭环噪音：X,Y轴闭环噪音≤0.6nm（Adev,1Hz到1KHz带宽,Z轴闭环噪音≤0.25nm(Adev,1Hz到1KHz测试带宽)；系统高度噪音(探针接触样品表面)≤50 pm（Adev,1Hz到1KHz带宽）；系统光学噪音(探针未接触样品表面)≤25pm。
5.样品台直径80mm；最高可容纳厚度10mm。
原子力显微镜NMIezAFM1龚小月瀚林2号A2031.包含接触模式、轻敲模式；
2.XYZ轴扫描范围40x40x4μm或120x120x40μm。
3.Z轴分辨率0.2nm（选120x120x40μm扫描范围时）；Z轴分辨率0.02nm（选40x40x4μm扫描范围时）。
4.横向解析度：大范围时小于20nm；小范围时小于6nm。
5.控制器：24位；悬臂数量：每种模式5个。
4-inch 晶圆电镀机MSTMP-04AR-CU1龚小月瀚林2号A2031.控制单元：包含溢流循环过滤，加热控温，液位监控，阴极摆动等。 2.电镀单元：德国劳士领瓷白PP板，双槽设计，含有内置10inch过滤器，日本IWAKI磁力泵，铁氟龙加热器，铁氟龙冷却器，双阳极设计（配双阳极钛蓝/PP袋），双均化板，双垂直喷流装置，GF流量PP调节阀，阴极摆动装置，液位传感器，下排液连接装置，铁氟龙温度检测热欧，PVC透明上盖等。
示波器RIGOLMSO5104110彭云根瀚林2号A201带宽100MHz，采样率8 GSa/s；4个模拟通道和16路数字通道。
电源RIGOLDP832110彭云根瀚林2号A201两路30V/3A，一路5V/3A；分辨率10mv/10mA。
信号发生器RIGOLDG1032Z85彭云根瀚林2号A201双通道，带宽30MHz，采样率200MSa/s。
FPGA开发板XilinxEK-U1-VCU128-G2彭云根瀚林2号A2021.8GB的集成HBM；
2.460GB/S的HBM带宽；
3.四路32 GB/S QSFP 28接口；PCIe@Gen3x16&Gen4x8；VITA 57.4FMC+接口；
4.DDR4组件：4.5Gb-5x(512 Mbx16)；
5.QDR4组件：144 Mb-1x(4 Mbx36)；
6.RLD3组件：288MB-2x(1.125 GBx36)。
Zynq FPGA开发板XilinxZynq UltraScale+MPSoC ZCU1045彭云根瀚林2号A2021.1.5GHz的四核ARM Cortex-A53 MPCore；
2.包含扩展接口FMC LPC (1x GTH)，3+4个Pmod接口，1个SYZYGY端口， MiniPCIe/mSATA；
3.包含ADC/DAC模块：Zmod/SYZYGY接口，14bit分辨率，采样率100MS/s，SMA接口，模拟输入2ch、输入阻抗1MΩ、输入范围±1V，模拟输出2、输入阻抗50Ω、输入范围±5V；
4.包含音视频接口：HDMI 2.0 视频输入输出 (3x GTH)，DisplayPort (2x GTR)，带板载H.264/H.265视频解码器，2个Pcam摄像头双通道；
5.包含图形处理器：ARM Mali -400 MP2。
EGO1 开发板依元素EGO1150彭云根瀚林2号A2021、主芯片：Xilinx Artix FPGA，逻辑单元33280、Slices 5200、分布式RAM 400Kb、DSP单元90个、BlockRAM 1800Kb；
2、板上时钟100MHz,板卡配置方式支持USB-JTAG编程接口和SPI闪存配置方式；
3、板上有2Mbit的SRAM，板上需要有SPI闪存；
4、板上提供16个LED、8个拨码开关、8个DIP开关、5个按键。通用扩展IO32pin；
5、板上7段数码管8个，提供VGA视频输出接口与Audio音频接口；提供用于系统调试的USB-UART接口 ；
6、板卡具有板载蓝牙模块、板载DAC模块、可调节的电位器，为XADC提供模拟输入、XAD、功耗检测功能。
FPGA开发板AlinxAV7K32550彭云根瀚林2号A2021.DDR3 2GB；DSP Slices为840；QSPI Flash 128Mbit；
2.BLOCK RAM 16020kb；
3.4路高速光纤通信接口，每路接收和发送速度10Gb/s；
4.2路HDMI输入，2路HDMI输出；
5.GTX收发器：16路GTX，每路12.5Gb/s max, 适合光纤通信和 PCle通信；
6.逻辑单元326080；包含双通道DA、AD模块。
FPGA开发板AlinxAXU5EV-P60彭云根瀚林2号A2021.64位的DDR4；4核，1.333GHz；8GB FLASH；
2.包含SFP光纤接口，配光纤模块和光缆；
3.256K逻辑(256200);
4.分布式RAM 3.5Mb、BlockRAM 5Mb；CLB Flip-Flops寄存器资源234240；
5.内存：PS端4GB+PL端1GB。
 
FPGA开发板调试器ExostivEP-120001彭云根瀚林2号A2021.具有使用FPGA厂商软件对IP进行综合的功能;
2.具备MYRIAD 波形查看器(TB级）功能;
3.最大可以存储8GB调试数据。
频谱分析仪TektronixRSA518A2彭云根瀚林2号A2021.测量频率范围：9kHz-18GH；
2.最大实时频宽：40MHz；
3.最大安全输入功率：+20dBm。
高端示波器RIGOLMSO81045彭云根瀚林2号A2021.模拟通道带宽1GHz；4个模拟通道，16个数字通道；
2.实时采样率：模拟通道10 GSa/s，数字通道1.25 GSa/s；存储深度500Mpts；
3.支持眼图和抖动分析功能；实时采集波形捕获率高于600,000个波形每秒；
4.丰富的触发功能：边沿、脉宽、斜率、视频、码型、持续时间、超时、欠幅脉冲、超幅、延迟、建立保持、第N边沿、区域、RS232、I2C、SPI、CAN、FlexRay、LIN、I2S、MIL-STD-1553；
5.多种数学运算：加、减、乘、除、FFT、与、或、非、异或、Intg、Diff、Lg、Ln、Exp、Sqrt、Abs、AX+B、低通滤波、高通滤波、带通滤波、带阻滤波，内置增强FFT分析和峰值搜索功能。
示波器KeysightMSOS104A3彭云根瀚林2号A2021.数字通道：最大输入电压-40V ~ +40V；最大采样率2GS/s；最大记录长度134.217Mpts；
2.模拟通道：带宽1GHz，通道4，采样速率20GS/s，记录长度205M点。
高端电源RIGOLDP831A20彭云根瀚林2号A2021.回读分辨率:电压0.1mV,电流0.1mA；
2.编程分辨率:电压1mV，电流0.3mA/0.1mA/0.1mA/(CH1/CH2/CH3)；
3.定时和延时输出功能，录制器/分析器/监测器/触发器功能；
4.分析器可以对已录制的文件进行分析并给出分析结果，包括组数、中数、众数以及不同通道的电压、电流或功率的均值、方差、全距、最小值、最大值和平均差；
5.3路输出：0至8V/0至5A 0至30V/0至2A 0至-30V/0至2A，三路电流电压必须均支持连续可调（步进1mV/1mA）。
电源KeysightE36233A、 E36234A10彭云根瀚林2号A2021.E36233A：双通道输出，功率400W，电压范围0-30 V，电流范围0-20 A，电压分辨率1mv，电流分辨率1mA；
2.E36234A：双通道输出，功率400W，电压范围0―60 V，电流范围0-10 A，电压分辨率1mv，电流分辨率:1mA。
功率放大器KeysightN4985A2彭云根瀚林2号A2021.工作频率范围为100MHz-50GHz;
2.饱和输出功率100MHz to 2GHz≥24dBm；2 to 10GHz≥30dBm；10 to 30GHz≥29dBm；30 to 40GHz≥27dBm;
3.S21功率增益100MHz to 2GHz≥25dB；2 to 10GHz≥29dB；10 to 30GHz≥28dB；30 to 40GHz≥25dB;
4.S22回波损耗100MHz to 2GHz≤-6dB；2 to 10GHz≤-15dB；10 to 30GHz≤-10dB；30 to 40GHz≤-6dB;
5.1GHz时的谐波<–30dBc;1GHz 时的非谐波<–92dBc。
半导体参数分析系统KEITHLEY4200A-SCS1彭云根瀚林2号A2021.AC阻抗测量(C-V, C-f, C-t)；测量参数CP-G,CP-D,CS-RS,CS-D,R-jX,Z-theta；
2.频率范围1kHz-10MHz，源频率精度±0.1%；输出阻抗100Ω；最大DC电流10mA；
3.扫描类型：线性,自定义；扫描方向:向上扫描,向下扫描；
4.3个探针座及3同轴夹具：X-Y-Z 方向的移动行程分别为≥12mm、精度0.7微米；
5.目镜:22X，物镜:2X、5X、10X、20X、50X。
矢量网络分析仪KeysightE5080B1彭云根瀚林2号A2021.频率覆盖范围:9kHz至4.5 GHz；动态范围>140dB；迹线噪声<0.005 dBrms；
2.时域分析:时域传输、反射特性分析;距离上的故障定位。
高端信号发生器kEYSIGHTKN5182B1彭云根瀚林2号A2021.SSB相位噪声(标称值) 1GHz，≤-134dBc/Hz@20kHz offset 2GHz，≤-127dBc/Hz@ 20kHz offset 3GHz，≤-127dBc/Hz@20kHz offset；
2.非谐波(dBc在+10 dBm，频偏>10kHz,标称值)：1GHz，≤-87dBc 2.5GHz，≤-81dBc 3GHz，
≤-75dBc；
3.功率范围10MHz至3GHz，-144dBm~+18dBm；
4.工作方式：步进和列表扫描；扫描点数：2-65535（步进扫描）和每个表1-3201（列表扫描）；
5.具备内部基带信号发生器，存储深度32MSa，支持I/Q调制，调制带宽80MHz；
6.频率范围：9KHz-3GHz。
信号发生器KeysightN5171B3彭云根瀚林2号A2021.参考频率：10MHz，幅度大于等于 4dBm，额定输入50欧姆负载；
2.输出功率设置范围：+19 to –144 dBm (Standard)，分辨率0.01dB；
3.1GHz时的相位噪声：-122dBc/Hz（20K频偏），杂散-72dBc；
4.具有专用在线分析软件，软件可以同时控制示波器、信号源、电源、万用表、频谱仪、网络分析仪、阻抗分析仪、 LCR表，支持USB\RS232\GPIB\LAN接口, 可将测量数据导出到Excel、Word和 MATLAB， Test Flow测试程序流，可实现拖拽式编程，编辑测试序列,实现自动化测试；
5.频率范围：9KHz to 6GHz；硬件部分包含AM调制、FM调制，PM调制功能。
半导体光学特性分析仪岛津SHIMADZU UV-3600i Plus1彭云根瀚林2号A2021.分光系统: 测定波长范围: 185-3300nm。波长准确性: 紫外、可见区：±0.2nm。近红外区：±1.0nm。波长重复精度: 紫外、可见区：≤±0.08nm ，近红外区≤±0.32nm；
2.分光器: 2片X2片光栅式双单色器；预置单色器：凹面衍射光栅分光器，主单色器：象差校正型切尼尔一特纳分光器，不接受Littrow式单色器；
3.波长采样间隔: 0.01～5nm。光源切换波长: 和波长同步自动切换282 nm～393 nm（1nm单位）；
4.谱带宽度: 紫外、可见区：0.1nm-8nm 范围内自动切换，近红外区：0.2-32nm范围内自动切换。杂散光: ≤0.00005% 以下 (340nm, NaNO2)；
5.分辨率: 0.1nm 测光方式: 双光束测光方式；
6.测光范围: 吸光度≥6 Abs；基线平直度≤±0.0012Abs（200-3000nm），漂移＜0.0002Abs/h；
7.光度准确性：≤±0.002Abs(1Abs)；≤±0.002Abs(0.5Abs) 光度重复精度：≤±0.001Abs基线校正：计算机自动校正（电源启动时，自动存储备份的基线，可以再校正）光源要求：50W卤素灯和氘灯；
8.超大样品室（含不小于60毫米积分球）：允许测定多种形状样品的反射和透射光谱。内置一个不小于60毫米积分球保证对固体样品的精确测定。波长范围：220-2600nm。大样品室和60毫米积分球额外内置三个检测器：PMT检测器,InGaAs检测器，冷却的PbS检测器。多功能大样品室可以对不同形状的样品的透射率或反射率进行测试。内置积分球可以确保固体样品的精确测量。
电容电压特性测试仪广州四探针科技CV-50001彭云根瀚林2号A2021.测试信号频率：1MHz；
2.测试信号电压：小于等于 100mVrms；
3.电容测量范围：1pF - 5000pF；
4.直流偏压：-35V - 35V。
双电测四探针测试仪广州四探针科技RTS-91彭云根瀚林2号A2021.恒流源：电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调；
2.可测晶片厚度： ≤3mm；
3.测量范围：电阻率：10-5～105 Ω·cm；方块电阻：10-4～106 Ω；电导率：10-5～105 s/cm；电阻：10-5～105 Ω；
4.四探针探头基本指标：间距：1±0.01mm。
半导体载流子寿命分析仪PicoQuantFluoTime 3001彭云根瀚林2号A2021.515nm和375nm 瞬态激发激光器；
2.数据采集模式：TCSPC时间相关单光子计数及MCS模式；
3.载流子寿命测试范围：100ps－1s；
4.寿命测试时间精度：最高为25ps；
5.探测器波长范围：覆盖300-920nm。
 
红外量子效应测试仪ENLITECHQE-R 彭云根瀚林2号A2021.测量波长范围：300–2500nm；
2.电压偏压功能：±10 V，分辨率5 mV。
高精度打线机MPPi5000 Dual Bonder1彭云根瀚林2号A2021.支持金线铝线18um和36um；
2.超声球焊。
金线推拉力计try-precisionMFM12001彭云根瀚林2号A2021.拉力测试模组：WP100G；
2.推力测试模组：BS250G；DS100KG；
3.钩针：钩针直径50微米；
4.推刀：接触面75微米；
5.推刀：接触面2540微米。
混合域示波器泰克泰克 MSO58B 5-BW-20001彭云根瀚林2号A2021.通道数：8通道；
2.带宽：2GHz；
3.采样速率：6.25GS/s；
4.1GHz无源探头。
光功率计联合光科7007431彭云根瀚林2号A2021.OPM150功率计主机:最大输入电流12mA，带宽10kHz；
2.OPM150UVS硅功率探测器:波长范围250-1100nm，最小功率1nW@600nm，最大功率3mW@600nm;
3.OPM150滤光片0D2。
硬件仿真器cadence39HS6A1彭云根瀚林2号A2031.支持全网表门级仿真，仿真运行速度0.5-1.5MHz；
2.编译速度：单核CPU条件下编译速度大于1亿门/小时；
3.同时支持在线用户数48个，支持2304个并行作业。
数字电桥固伟LCR-82012吴育教学楼A417测试频率10Hz~1MHz，6位显示，频率±0.0007%； 2、测量频率连续可调
激光雕刻器雷宇NOVA451吴育教学楼A419切割不大于4mm亚克力板 ， 浮雕小木板 ,亚克力。
数字示波器RIGOLMSO535467吴育教学楼A412带宽：350mhz,实时采样率‌：8G采样率；4个模拟通道+16个数字通道，
数字示波器RIGOLMSO2302A138吴育教学楼A414/A412带宽：250Mhz,实时采样率‌：2 GSa/s；通道数‌：2个模拟通道+16个数字通道，
数字万用表RIGOLDM3058100吴育教学楼A414/A412测量精度‌：5½位分辨率；测量速率‌：123 rdgs/s；输入保护‌：主输入端子支持电压、电阻、电容等测量
数字万用表RIGOLDM3058E17吴育教学楼A414/A412‌读数分辨率‌：5½位;测量速率‌：123rdg/s;输入保护‌：主输入端子支持电压、电阻、电容等测量
数字万用表RIGOLDM305152吴育教学楼A414/A412测量精度5½位LCD双显示 ;最高采样速率120读数/秒
函数发生器RIGOLDG102280吴育教学楼A414/A412双通道输出;,频率范围‌：20MHz采样率‌：20MHz MSa/s‌;垂直分辨率‌：CH1为14 bits，CH2为10 bits‌
函数发生器RIGOLDG4202122吴育教学楼A414/A412双通道输出 ,频率范围‌：200MHz（正弦波输出）采样率‌：500MSa/s‌,垂直分辨率‌：14bits‌.通道数‌：2个（功能完全相同，相位可调）
稳压电源RIGOLDP83259吴育教学楼A414/A412CH1/CH2‌：0-30V/0-3A（单通道功率90W）标配分辨率1mV/1mA 2,3路输出；‌CH3‌：0-5V/0-3A（功率15W）隔离设计‌：CH1独立隔离，CH2与CH3共地
稳压电源RIGOLDP83112吴育教学楼A414/A412CH1：8V/5A 或 30V/2A（双量程），CH2：30V/2A（正输出），CH3：-30V/2A（负输出，支持双向供电）‌
稳压电源RIGOLDP831A107吴育教学楼A414/A4123路输出：CH1：0至8V/0至5A ，CH2：0至30V/0至2A ， CH3：0至-30V/0至2A，
精密手动裁板机科瑞特MCM10003吴育教学楼A417最大载板宽度320mm/厚度3mm
交流毫伏表SUIN数英SM21606吴育教学楼A412‌测量带宽‌：DC～6MHz（宽频带设计，频率响应‌：20Hz～6MHz（±3dB精度‌电压量程‌：300μV～300V ，4位LED数码管直读显示，118支持AC/DC耦合模式切换
数字频率特性测试仪SUIN数英SA1140C2吴育教学楼A412扫频带宽‌：20Hz～140MHz，‌输出电压‌：≥0.5Vrms（50Ω输出阻抗），输出衰减‌：0～80dB（1dB步进调节）输入阻抗‌：50Ω或高阻模式（用户可选
数控钻铣雕一体机科瑞特DCD38001吴育教学楼A419对PCB板进行全自动钻孔、铣边、线路雕刻，刀座数量：最大23个，另配备智能对刀器1个，工作尺寸：400mm×300mm（含自动换刀工作区域）
3D打印机ultimakerultimaker S51吴育教学楼A417打印体积：330 × 240 × 300 毫米，‌层分辨率‌0.1 - 0.4 毫米，喷嘴直径‌标配0.4mm，线材直径‌2.85 毫米。
台式回流焊机科瑞特SMT4201吴育教学楼A417有效焊接面积30*320CN, 功率1500w ,8种温度曲线选择。
台式回流焊机泰安普惠T-962A1吴育教学楼A417有效焊接面积30*320CN, 功率1500w ，8种温度曲线选择。
热转印机CreateCreate-SHP3  最大工作宽度320mm
数字源表固伟GSM-20H102吴育教学楼A417四象限操作‌：支持电压源、电流源和电阻测量功能，在第一/三象限作为电源供电，第二/四象限作为负载消耗功率。 ‌‌输出范围‌：电压±210V、电流±1.05A、功率22W。 ‌测量精度‌：基本精度0.012%，分辨率1µV/10pA/10Ω。
电子负载艾德克斯IT8152A+2吴育教学楼A4171、电压电流功率：150V/30A/300W
2、精度：0.1mv/1mA
3、操作模式：CC、CV、CR、CP
4、动态响应频率：10KHz
5、功能：断电保持记忆功能，短路功能，远端量测功能
数字IC测试仪固伟GUT-6000B2吴育教学楼A417支持‌54/74系列TTL、4000/4500系列CMOS及DRIVE系列‌数字集成电路测试，
Proteus多处理器电子设计仿真与实验终端风标VSM FOR Cortex-m3　ａｎｄ　ASF1吴育教学楼A421Proteus多处理器电子设计仿真与实验终端支持电路设计、单片机仿真、微机原理仿真及嵌入式STM32仿真，可创建虚拟电子实验室，显著降低硬件成本并提升实践教学效果。
Proteus 微机原理8086仿真设计终端风标VSM FOR 80861吴育教学楼A421Proteus 微机原理8086仿真设计终端满足微机原理及接口技术课程的教学需求，既可以在实验课前预习电路设计、软件编程等相关知识，也可以在实验课后对实验内容进行复习巩固，全面掌握微机及接口电路的工作原理与编程技术。
智慧线上线下融合实验平台易星标ELF-BOX8001吴育教学楼A4211、学生可以通过互联网远程（在宿舍或者在外地）调用智能在线实验平台上的真实物理器件，搭建真实的电路，并可以对搭建电路图进行保存，完成真实实验。
2、△智能在线实验平台可以与台式示波器及台式信号发生器通信，方便学生调用台式仪器进行实验测量，并同时将测量数据进行记录。
3、△实验平台需要配套摄像头，并可在智能在线实验平台的上位机软件上调用摄像头以便学生观测实验过程中台式仪器的测试数据和实验平台上的数码管等器件显示。
4、△硬件主机平台需提供不低于190个节点互联。
5、△实验报告中实验数据部分，学生可以直接调用上位机软件记录的实验数据，并调用对应的电路图和台式仪器截图。
绘图仪HPT8301吴育教学楼A421‌分辨率‌：黑白/彩色模式最佳分辨率：2400×1200dpi（经济模式彩色模式高精度：1200×1200dpi，最大打印幅面‌支持A0（914mm）124或A1，接口‌：USB 2.0、RJ-45千兆以太网、WiFi12，支持网络打印及移动端无线打印。
可调电阻箱（24个/批）杭州精科FBZX211吴育教学楼A414/A412 
电阻箱杭州精科FBZX21155吴育教学楼A414/A412测量范围：0~99999.9Ω，准确度：0.1级；外壳采用金属外壳和铝合金面板，开关采用封闭式银铜复
电容箱杭州精科RX7-12162吴育教学楼A414/A4121NF~111.11uF,工作频率800-1000HZ
电子功率放大器AigtekATA-1051吴育教学楼A412带宽：（-3dB）DC~5MHz，电压：25Vp-p（±12.5Vp），电流：2Ap，功率：25Wp
压摆率：≥278V/μs
光电器件试验仪云创科技YC-998G60吴育教学楼A414/A412光电器件试验仪由主机、传感器与器件、光源等部分组成。
微机原理实验箱风标FB-EDU-P86-B100吴育教学楼A412/A414基于80x86微处理器架构，支持16位数据处理，配备标准8086/8088指令集‌，8路逻辑电平开关输入，集成8255A并行接口（3个8位I/O端口，支持模式0~2）、8253/8254定时计数器等标准接口芯，16路LED状态显示，支持手动脉冲发生器及消抖电路‌
电工技术实验箱江苏启东YTLJD-145吴育教学楼A419交流电功率因数测量，220-380AC电流电压测量等
数字电路实验箱仪迈YTZD-455吴育教学楼A412/A414基础逻辑功能实验，组合逻辑电路实验，触发器实验，时序电路测试与研究，集成计数器及寄存器实验，译码器和数据选择器实验。
模拟电路实验箱仪迈YTZD-5115吴育教学楼A412/A414整流、滤波及串联稳压电路，单级放大电路，两级阻容耦合放大电路，负反馈放大电路。射极跟随器，差动放大电路，场效应管电路。
数字电路实验箱天煌THM-451吴育教学楼A412/A414基础逻辑功能实验，组合逻辑电路实验，触发器实验，时序电路测试与研究，集成计数器及寄存器实验，译码器和数据选择器实验。
模拟电路实验箱天煌THM-550吴育教学楼A412/A414整流、滤波及串联稳压电路，单级放大电路，两级阻容耦合放大电路，负反馈放大电路。射极跟随器，差动放大电路，场效应管电路。
FPGA数电实验箱依元素EDK-S7-DCS-KIT85吴育教学楼A412/A4141、尺寸20mm*300mm。实验平台FPGA主芯片采用28nm技术的Spartan7系列芯片，逻辑门数字电路实验
电路原理实验箱启东计算机厂LH-DL5+100吴育教学楼A412/A414实验箱由铝木合金箱体、线性电源、常用信号源、测量仪表、实验电路模块等组成
电流源EstimatechCS100-A100吴育教学楼A412/A414最大输出电流150mA ,最高输出电压13V（5V~13V可调
高精度微型台钻西湖ZWG-4A1吴育教学楼A417Redmi MAX 86吋 ，L86R9-X14K，超清屏幕比例： 16:9 ，尺寸19