微电学术 | 全芯片寄生电容提取技术取得突破，微电子科学与技术学院成果瞩目

随着5nm/3nm工艺普及，芯片互连结构复杂度飙升，传统寄生电容提取方法面临两大难题：海量数据计算效率低、复杂几何特征维度管理难。如何在高精度前提下实现高效降维？我院通过对全芯片寄生电容提取技术的研究给出了答案。

👩🎓核心团队

研究由中山大学微电子科学与技术学院官众副教授团队主导，相关成果于本月发表于EDA领域顶级期刊《IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (TCAD)》，其研究生李萍为第一作者。

🚀创新亮点

✅特征降维黑科技——GDB-SRSS

该项技术突破传统线性降维，通过非线性映射函数+特征压缩算法，在保留关键信息的同时，将特征维度降低70%以上。该技术相当于为芯片互连结构打造“抽象简笔画”，大幅提升了计算效率。

✅ “一箭双雕”标签策略

首创的负值标记技术无需额外模块即可将“接地电容+耦合电容”双任务一体化处理。统一标记空间实现数据的自动融合，精度媲美商业工具，标记效率提升了3倍，彻底告别了传统分段式流程。

📊实际效果

速度飞跃：并行计算优化，运行耗时仅为传统方法的三分之一；

精度对标：预测误差率<1%，满足7nm以下工艺需求；

无缝兼容：可兼容Cadence/Synopsys各主流工具，代码开箱即用。

🌍行业价值

该成果不仅破解了高集成芯片设计瓶颈，更为国产EDA工具链突破“卡脖子”技术注入强大动力。在全球芯片竞争白热化之际，该技术的研究将有助于用创新定义行业未来。

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